商品名稱:1EDN7126UXTSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):1EDN7126UXTSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TSNP-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
1EDN7126UXTSA1 是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,針對(duì)英飛凌 CoolGaN? 肖特基柵 HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化。
特點(diǎn)
優(yōu)化用于驅(qū)動(dòng) GaN SG HEMT 和硅 MOSFET
完全差分邏輯輸入電路,可避免在低壓側(cè)或高壓側(cè)工作時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤觸發(fā)
高共模輸入電壓范圍 (CMR) 高達(dá) ± 200 V,適用于高壓側(cè)操作
共模電壓轉(zhuǎn)換抗擾度高(100 V/ns),可在快速開(kāi)關(guān)期間穩(wěn)健運(yùn)行
兼容 3.3 V 或 5 V 輸入邏輯
四種驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度變化,無(wú)需外部柵極電阻即可優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度 - 源/匯流能力高達(dá) 2 A
有源自舉箝位,避免自舉電容器在死區(qū)時(shí)間過(guò)充電
主動(dòng)式米勒箝位,具有 5 A 灌電流能力,可避免感應(yīng)導(dǎo)通
根據(jù) JEDEC47/20/22 的相關(guān)測(cè)試,已通過(guò)工業(yè)應(yīng)用認(rèn)證
應(yīng)用
單通道
同步整流器
E 級(jí)諧振無(wú)線電源
半橋
直流-直流轉(zhuǎn)換器
BLDC/PMSM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
D 類音頻放大器
D 類諧振無(wú)線電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-DSO-20
2000
經(jīng)過(guò)汽車認(rèn)證的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專為 IGBT 技術(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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