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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:MYH200R075M1HXKSA1

商品名稱:MYH200R075M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:MYH200R075M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:10

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
MYH200R075M1HXKSA1
封裝
TO-247-4
描述
通孔 N 通道 2000 V 34A(Tc) 267W(Tc) PG-TO247-4-U04

產(chǎn)品描述

MYH200R075M1HXKSA1是溝槽式MOSFET,采用TO-247PLUS-4-HCC封裝。這些MOSFET設(shè)計(jì)用于在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度,即使在苛刻的高壓和開關(guān)頻率條件下也是如此。CoolSiC?技術(shù)具有低功耗,采用.XT互連技術(shù),可靠性極高,可在各種應(yīng)用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基準(zhǔn)柵極閾值電壓,開關(guān)損耗非常低。典型應(yīng)用包括儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、燈串逆變器和太陽能優(yōu)化器。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

漏源電壓(Vdss):2000 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):98 毫歐 @ 13A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.5V @ 7.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):64 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+20V,-7V

功率耗散(最大值):267W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-U04

封裝/外殼:TO-247-4


應(yīng)用

● 儲(chǔ)能系統(tǒng)

● EV充電

● 組列逆變器

● 太陽能電源優(yōu)化器

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封裝

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描述

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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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