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NTH4L045N065SC1 是 650V、33mohm、碳化硅 (SiC) MOSFET N 溝道晶體管 - EliteSiC，TO-247-4L。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：55A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 25A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：187W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

產(chǎn)品特性

典型值 RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V

典型值 RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)

高速開關(guān)，低電容（Coss = 162 pF）

100% 雪崩測試

TJ = 175°C

典型應(yīng)用

SMPS（開關(guān)模式電源）

太陽能逆變器

UPS（不間斷電源）

能源存儲器

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