商品名稱:A1F25M12W2-F1
數(shù)據(jù)手冊:A1F25M12W2-F1.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
A1F25M12W2-F1該電源模塊采用帶 NTC 的 ACEPACK 1 模塊中的四組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并集成了意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的碳化硅 MOSFET(以 gen.2 技術(shù)為代表)。這種模塊化解決方案可用于實現(xiàn)具有極高功率密度特點的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以滿足最高效率要求。
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 碳化硅(SiC)
配置: 4 個 N 通道
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss): 1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :50A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 34 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 147nC @ 18V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 3500pF @ 800V
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: ACEPACK 1
應(yīng)用
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 高頻開關(guān)應(yīng)用
? 焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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VL53L3CAV0DH/1
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STM8S105K6U3ATR 是屬于 STM8S 系列 8 位微控制器,工作頻率為 16MHz,采用哈佛架構(gòu)和 3 級流水線,具備 32KB 的 Flash 程序存儲器,1K 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM,以及 2K 字節(jié)的 RAM。工作電壓范圍為 2.95V 至 5.5V,工作溫度范圍為 - 40℃至 125℃,采用 32-UFQFPN(5x5)封裝…STM32L031C6U6
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STM32F103C8T6是一款基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核的 32 位微控制器,最高主頻可達(dá) 72MHz,具備高效的數(shù)據(jù)處理能力和實時性能。擁有 64KB Flash 存儲器和 20KB SRAM,可滿足大多數(shù)中等規(guī)模嵌入式應(yīng)用的程序和數(shù)據(jù)存儲需求。STM32F103C8T6 產(chǎn)品屬性制造商: STMicroelectronics …STM32F030CCT6
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VIPER06LSTR 是一款離線轉(zhuǎn)換器,具有 800 V 雪崩式堅固電源部分、PWM 控制器、用戶定義的過流限制、開環(huán)故障保護(hù)、滯后熱保護(hù)、軟啟動和任何故障條件下的安全自動重啟功能。電話咨詢:86-755-83294757
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