商品名稱:IQDH45N04LM6CG
數(shù)據(jù)手冊:IQDH45N04LM6CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V 采用 PQFN 5x6 mm2 降源封裝。該器件具有 0.45 mΩ 的超低 RDS(ON),并具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。這使得系統(tǒng)能效更高、功率密度更大,適用于各種終端應(yīng)用,如電池供電工具、SMPS、電信電源和高性能計(jì)算(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能服務(wù)器群)中的中間總線轉(zhuǎn)換。
特點(diǎn)
? N 通道、對數(shù)電平
? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通)
? 超強(qiáng)耐熱性
? 通過 100% 老化測試
? 無鉛鍍層;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
IQDH45N04LM6CG產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TTFN-9
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 637 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 62 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
系列: OptiMOS 6
配置: Dual
下降時(shí)間: 14 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
數(shù)據(jù)通信
高性能計(jì)算
電信
SMPS
折疊
驅(qū)動(dòng)器
電池供電工具
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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