商品名稱:IAUZ18N10S5L420
數(shù)據(jù)手冊:IAUZ18N10S5L420.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20000 件
IAUZ18N10S5L420 是一款 10mR 80V MOSFET,采用 3.3 x 3.3 mm2 S3O8 封裝,采用英飛凌領(lǐng)先的 OptiMOS?-5 技術(shù)。
特性概述
OptiMOS? 5 - 用于汽車應(yīng)用的功率 MOSFET
N 溝道 - 增強(qiáng)模式 - 邏輯電平
通過 AEC Q101 認(rèn)證
MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 規(guī)范)
100% 通過雪崩測試
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :18A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 42 毫歐 @ 9A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 8μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 8 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 470 pF @ 50 V
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TSDSON-8-32
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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