STB16N90K5 超高電壓(900V)N溝道功率MOSFET采用基于創(chuàng)新專有垂直結(jié)構(gòu)的MDMESH K5技術(shù)設(shè)計而成,適用于需要出色功率密度和高效率的應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):900 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):330 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):29.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1027 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):190W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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