商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDQ60T022S7是600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22),可提高結(jié)溫感應(yīng)精度。
IPDQ60T022S7產(chǎn)品屬性:
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-22
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
系列: S7T
配置: Single
下降時間: 10 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 750
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 142 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
IPDQ60T022S7特征描述:
優(yōu)化的性價比
專為低頻開關(guān)量身定制
減少寄生源電感
無縫診斷
精確、快速的長期監(jiān)控
大電流能力
增強保護
優(yōu)化熱器件利用率
尖端的頂部冷卻封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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