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產(chǎn)品分類

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商品型號(hào):FF4000UXTR33T2M1

商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:模塊

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
FF4000UXTR33T2M1
封裝
模塊
描述
3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

產(chǎn)品描述

FF4000UXTR33T2M1:3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊


型號(hào):FF4000UXTR33T2M1(碳化硅 MOSFET 模塊)

封裝:模塊

類型:XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊


FF4000UXTR33T2M1 是3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,采用 .XT 互聯(lián)技術(shù),用于交通領(lǐng)域的去碳化。


FF4000UXTR33T2M1 - 產(chǎn)品規(guī)格:

系列:XHP?2

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2 個(gè) N 通道(半橋)

漏源電壓(Vdss):3300V(3.3kV)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):500A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 500A,15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.55V @ 450mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):2500nC @ 15V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):101000pF @ 1800V

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊


應(yīng)用:

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電解槽制氫

牽引

太陽能系統(tǒng)解決方案


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

FF3MR12KM1HP

INFINEON

模塊

2000

1200V CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

F4-10MR20W3M1H

INFINEON

AG-EASY3B

1000

2000 V 120 A 碳化硅 MOSFET 模塊

F4-6MR20W3M1H

INFINEON

AG-EASY3B

1000

2000 V 160 A 碳化硅 MOSFET 模塊

FF1MR12MM1H

INFINEON

AG-ECONOD

1000

1200 V CoolSiC? MOSFET半橋模塊

FF8MR12W1M1HC58

INFINEON

模塊

3000

1200V,EasyDUAL? 1B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF300R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,300mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF200R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,200mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF150R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,150mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF6MR20W2M1HB70

INFINEON

模塊

3000

2000V,6mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊

FF2600UXTR33T2M1

INFINEON

模塊

3000

碳化硅 MOSFET 模塊 - 3.3kV、CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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