商品名稱:SCTL90N65G2V
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCTL90N65G2V.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:PowerFlat
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTL90N65G2V 650V 碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進(jìn)性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應(yīng)用中,如用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高效驅(qū)動(dòng)器、電源和智能電網(wǎng)設(shè)備的逆變器。該器件具有出色的開關(guān)性能,以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):24 歐姆 @ 40A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):157 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3380 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):935W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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