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TW048N65C,S1F第三代碳化硅MOSFET器件專為開關電壓調(diào)節(jié)器應用而設計。該MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度。這是由于碳化硅（SiC）技術使器件能夠提供更高的電壓、更快的開關和更低的導通電阻。此外輸入電容（CISS）為1362 pF（典型值），低柵極輸入電荷（Qg）為41 nC（典型值）和漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）僅為48mΩ或65 mΩ（典型值）。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1362 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：132W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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