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SPW35N60C3 是英飛凌（Infineon）推出的一款 N溝道功率MOSFET，屬于 CoolMOS? C3 系列。該系列器件以其低導(dǎo)通電阻、高功率密度和高效率而聞名，適用于多種高壓開關(guān)應(yīng)用。

SPW35N60C3 產(chǎn)品特性

高耐壓與大電流：漏源電壓（Vdss）為 650V，連續(xù)漏極電流（Id）為 34.6A（25℃時(shí)），能夠承受高電壓和大電流，適用于高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

低導(dǎo)通電阻：在 10V 柵源電壓下，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大值為 100mΩ@21.9A，有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

低柵極電荷與低輸入電容：柵極電荷（Qg）為 200nC@10V，輸入電容（Ciss）為 4500pF@25V，可降低驅(qū)動(dòng)損耗，提高開關(guān)速度。

高功率耗散：最大耗散功率（Pd）為 313W，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。

工作溫度范圍寬：工作溫度范圍為 - 55℃至 + 150℃，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。

SPW35N60C3 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 34.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 150 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 313 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

SPW35N60C3  典型應(yīng)用

電源轉(zhuǎn)換：DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源（SMPS）、逆變器。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：工業(yè)電機(jī)、電動(dòng)車控制器。

汽車電子：車載充電器（OBC）、電池管理系統(tǒng)（BMS）。

工業(yè)設(shè)備：電焊機(jī)、UPS 電源、太陽能逆變器。

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