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RMLV1616AGSA-4U2是一款16Mb、超低功耗SRAM（超LP SRAM）器件，由Renesas公司推出，它能夠為工廠自動化（FA）、工業(yè)設(shè)備、智能電網(wǎng)等應(yīng)用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。

核心參數(shù)

存儲器類型：易失

存儲器格式：SRAM

技術(shù)：SRAM - 異步

存儲容量：16Mb

存儲器組織：1M x 16，2M x 8

存儲器接口：并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁：45ns

訪問時間：45 ns

電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：48-TSOP

性能特點

RMLV1616AGSA-4U2采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術(shù)，大幅提升了抗軟失效能力，實現(xiàn)了更良好的可靠性。在瑞薩超LP SRAM的結(jié)構(gòu)方面，存儲單元中的每個存儲節(jié)點都結(jié)合了堆疊電容技術(shù)，從根本上預(yù)防了軟失效的出現(xiàn)。此外，每個SRAM單元的負載晶體管（P溝道）為多晶硅薄膜晶體管（TFT），堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管，這樣可確保存儲區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管，并從理論上杜絕閂鎖效應(yīng)。因此，對于需要嚴格保證高水平可靠性的應(yīng)用環(huán)境（如：工廠自動化、測量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備等）而言，RMLV1616AGSA-4U2超LP SRAM可謂理想之選。

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