商品名稱:IGB50N60TATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IGB50N60TATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGB50N60TATMA1 600V IGBT通過應(yīng)用溝道頂部單元和場(chǎng)截止技術(shù),TRENCHSTOP? IGBT系列顯著改善了IGBT器件的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)性能。IGBT與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合則進(jìn)一步將導(dǎo)通損耗降到了最低。該系列IGBT平衡了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,從而達(dá)到了最高效率。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):150 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
功率 - 最大值:333 W
開關(guān)能量:2.6mJ
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:310 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:26ns/299ns
測(cè)試條件:400V,50A,7 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N溝道功率MOSFET,采用 TO-220AB封裝,適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3系列,采用 TDSON-8封裝(3.33.3mm),適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及汽車電子等應(yīng)用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET,采用 TDSON-8封裝,屬于 OptiMOS? 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開關(guān),采用PG-DSO-20封裝,專為汽車電子和工業(yè)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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