商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMCQ120R053M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的組裝流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關正引領散熱、能效、設計靈活性及性能的新時代。
IMCQ120R053M2H 的特點
VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
IDDC = 31 A @TC = 100°C
RDS(on) = 52.6 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
極低的開關損耗
過載運行溫度可達 Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準柵極閾值電壓
對寄生導通具有抗擾性
適用于硬換向的堅固體二極管
.XT 互連技術
IMCQ120R053M2H 的優(yōu)勢
卓越的熱性能
提高能源效率
更高的功率密度
更緊湊且易于設計的方案
更低的總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMCQ120R053M2H的應用領域
電動汽車充電
固態(tài)斷路器
低壓驅動器
光伏系統(tǒng)
不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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