隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心的供電系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設計，可以適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。這款產(chǎn)品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目…
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心的供電系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設計，可以適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
這款產(chǎn)品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目（OCP）標準，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數(shù)字技術，以及配置于三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓撲結(jié)構(gòu)中的高功率 GaNSafe氮化鎵功率芯片，以極簡元件布局實現(xiàn)最高效率與性能。
在關鍵的技術上，納微12kW電源中采用的三相交錯TP-PFC拓撲由采用“溝槽輔助平面柵”技術的第三代快速碳化硅MOSFET驅(qū)動。三相交錯FB-LLC拓撲由納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動，其集成了控制、驅(qū)動、感測以及關鍵的保護功能，使其在高功率應用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。
該電源的尺寸為790×73.5×40mm，輸入電壓范圍180–305VAC，輸出最高電壓為50VDC。當輸入電壓高于207VAC時輸出12kW功率，低于該閾值時輸出10kW。其配備主動均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護機制，可在-5至45℃溫度范圍內(nèi)正常運行，12kW負載下保持時間達20ms，浪涌電流為穩(wěn)態(tài)電流3倍（持續(xù)時間<20ms），采用內(nèi)部風扇散熱。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架構(gòu)，旨在為未來AI的計算負載提供高效、可擴展的電力傳輸能力，實現(xiàn)更高可靠性、更優(yōu)效率并簡化基礎設施設計。英偉達在下一代800V HVDC架構(gòu)采用納微半導體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術開發(fā)。
在二次側(cè)DC-DC變換領域，納微半導體推出80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數(shù)據(jù)中心電源優(yōu)化設計，可實現(xiàn)高速、高效、低占板面積的功率轉(zhuǎn)換。
未來展望
納微計劃 2026年推出更高功率方案，并聯(lián)合英偉達推進 800V HVDC架構(gòu)，進一步優(yōu)化AI數(shù)據(jù)中心的能源效率。
這款12kW電源的發(fā)布，標志著GaN+SiC混合設計正式成為下一代AI供電的核心技術，為全球算力基礎設施提供高效、可靠的電力支持。
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