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最近，NEO半導體宣布開發(fā)其3D X-AI芯片技術(shù)，旨在取代當前高帶寬內(nèi)存(HBM)中的DRAM芯片，通過在3D DRAM中實現(xiàn)AI處理來解決數(shù)據(jù)總線問題。

通常來說，當前的 AI芯片架構(gòu)將數(shù)據(jù)存儲在高帶寬內(nèi)存中，并通過數(shù)據(jù)總線將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?GPU 以執(zhí)行 AI算法(數(shù)學計算)。這種架構(gòu)效率低下，數(shù)據(jù)總線會導致長時間延遲和高功耗。

而3D X-AI使用存儲單元來模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的突觸。它支持在同一芯片中進行數(shù)據(jù)存儲和人工智能操作。存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)直接用于生成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出，而不進行任何數(shù)學計算，從而大大提高人工智能性能并顯著節(jié)省能源。

3D X-AI芯片是一種具有AI處理能力的3D DRAM在同一芯片中，它底部有一個神經(jīng)元電路層，頂部有300層存儲單元，容量為128 GB。這種創(chuàng)新的芯片可以將人工智能芯片的性能提高100倍，并將功耗降低99%。它具有8倍更高的密度，非常適合存儲大型語言模型(LLM)，用于生成式人工智能應(yīng)用程序，如Chat GPT，Gemini和CoPilot。

NEO半導體介紹，采用NEO的3D X-AI技術(shù)的人工智能芯片可實現(xiàn)，100X性能加速:包含8000個神經(jīng)元電路，可在3D內(nèi)存中執(zhí)行A1處理；99%功耗降低:將數(shù)據(jù)傳輸?shù)紾PU進行計算的需求最小化，從而減少數(shù)據(jù)總線產(chǎn)生的功耗和熱量；8X內(nèi)存密度:包含300個內(nèi)存層，允許存儲更大的AI模型。據(jù)NEO估計，每個芯片可支持高達10 TB/s的AI處理吞吐量。使用12個3D X- AI 芯片堆疊HBM封裝可實現(xiàn)120 TB/s處理吞吐量，性能提高100X。

這里的3D DRAM也是NEO半導體的研發(fā)方向之一。與水平放置存儲單元的傳統(tǒng)DRAM不同，3D DRAM垂直堆疊存儲單元大大增加單位面積的存儲容量并提高效率，成為下一代DRAM關(guān)鍵發(fā)展方向。

NEO表示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)用于支持處理器，使DRAM在電子設(shè)備中的使用更加普遍。然而，處理器速度的增長速度比多代內(nèi)存速度更快，由此產(chǎn)生的“性能差距”逐年擴大。像云數(shù)據(jù)中心這樣的功耗敏感環(huán)境越來越依賴更高功率的處理器來滿足性能要求，但這會減少可用于內(nèi)存的功率。

采用X-DRAM架構(gòu)可以降低功耗，降低延遲，并增加吞吐量，以克服使用傳統(tǒng)DRAM時遇到的這些和其他挑戰(zhàn)。這為商業(yè)系統(tǒng)(例如服務(wù)器)提供了更高的性能，為移動設(shè)備(例如智能手機)提供了更長的電池壽命，為邊緣計算設(shè)備(例如路由器)提供了更多的功能，并為物聯(lián)網(wǎng)對象(例如網(wǎng)關(guān))提供了新的部署選項。

3D X-DRAM的單元陣列結(jié)構(gòu)類似于3D NAND Flash，采用了FBC（無電容器浮體單元）技術(shù)，它可以通過添加層掩模形成垂直結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)高良率、低成本和顯著的密度提升。NEO表示， 3D X-DRAM 技術(shù)可以生產(chǎn)230層的128Gbit DRAM 芯片，是當前 DRAM 密度的八倍。近年來，SK海力士、三星電子、美光等存儲廠商都在進行3D DRAM技術(shù)的研發(fā)，以期滿足于AI浪潮下對高性能、大容量內(nèi)存的需求。