威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封裝的新型40 V TrenchFET 四代N溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)異的導通電阻,能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %,同時比采用TO-2…
威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封裝的新型40 V TrenchFET 四代N溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)異的導通電阻,能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %,同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。
日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0.34 m?,最大限度減少了傳導造成的功率損耗,從而提高了效率,同時通過低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設計人員使用一個器件(而不用并聯(lián)兩個器件)實現(xiàn)相同的低導通電阻,從而提高了可靠性,并延長了平均故障間隔時間(MTBF)。
MOSFET采用無線鍵合(BWL)設計,最大限度減少了寄生電感,同時最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合(BW)封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A,而SiJK140E可提供高達795 A的連續(xù)漏極電流,以提高功率密度,同時提供強大的SOA功能。與TO-263-7L相比,器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2,可節(jié)省27 %的PCB空間,同時厚度減小50 %。
SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應用包括電機驅(qū)動控制、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和3D打印機。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通,標準級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標準且無鹵素,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
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