TP70H480G4JSGB 700V、480mΩ 氮化鎵(GaN)FET 是一款常關(guān)器件,采用第四代SuperGaN平臺。它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵 HEMT 和低壓硅 MOSFET,提供卓越的可靠性和性能。其主要特性包括:
■ 第四代技術(shù)
■ JEDEC合格的氮化鎵技術(shù)
■ 動態(tài) RDS(on)eff 生產(chǎn)測試
■ 堅固的設(shè)計,定義為
● 瞬態(tài)過壓能力
● 使用 E 模式柵極驅(qū)動器運行,無需齊納保護。
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標準的無鹵包裝
■ 2 kV HBM ESD 額定值
該第四代 SuperGaN? 平臺采用先進的外延和專利設(shè)計技術(shù),通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷來簡化可制造性,同時提高硅效率。
應(yīng)用領(lǐng)域
TP70H480G4JSGB廣泛用于以下領(lǐng)域
■ 消費領(lǐng)域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產(chǎn),支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。其技術(shù)參數(shù)如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設(shè)接口(SPI)NOR閃存器件設(shè)計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設(shè)接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應(yīng)用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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