TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。
TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:9.2 A
Rds On-漏源導通電阻:312 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.8 V
Qg-柵極電荷:3.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PQFN-8
Pd-功率耗散:41.6 W
通道模式:Enhancement
配置:Cascode
下降時間:3.6 ns
產品類型:GaN FETs
上升時間:4.6 ns
技術:GaN
晶體管類型:GaN HEMT
典型關閉延遲時間:20 ns
典型接通延遲時間:33 ns
典型應用
■ 消費品
■ 電源適配器
■ 低功耗開關電源
■ 照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產,支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網應用。其技術參數(shù)如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口(SPI)NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…ISL95810UART8Z-T
ISL95810UART8Z-T:XDCP?單數(shù)字控制電位器 (DCP),TDFN-8型號:ISL95810UART8Z-T封裝:TDFN-8類型:數(shù)字控制電位器 (DCP)概述:ISL95810UART8Z-T 在單片 CMOS 集成電路上集成了數(shù)字控制電位器 (XDCP)。數(shù)字控制電位器由電阻元件和 CMOS 開關組合實現(xiàn)。刮片的位置由用戶通…電話咨詢:86-755-83294757
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