深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng)，回收] NTH4L045N065SC1 (ON) 650V 碳化硅 N 溝道晶體管產(chǎn)品描述NTH4L045N065SC1 是 650V 碳化硅（SiC）MOSFET N 溝道晶體管 - EliteSiC，通孔 TO-247-4L。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng)，回收] NTH4L045N065SC1 (ON) 650V 碳化硅 N 溝道晶體管
產(chǎn)品描述
NTH4L045N065SC1 是 650V 碳化硅（SiC）MOSFET N 溝道晶體管 - EliteSiC，通孔 TO-247-4L。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：55A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 25A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 325 V
功率耗散（最大值）：187W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L
封裝/外殼：TO-247-4
特點(diǎn)
典型值 RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V
典型值 RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V
超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)
高速開關(guān)，低電容（Coss = 162 pF）
100% 雪崩測試
TJ = 175°C
典型應(yīng)用
SMPS（開關(guān)模式電源）
太陽能逆變器
UPS（不間斷電源）
能源存儲器
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